数据列表 | BUZ32 L3045A/SMD |
---|---|
产品相片 | TO-263 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 9.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 400 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 530pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | BUZ32E3045AT SP000011346 |