| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BUZ31L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BUZ31L Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220AB 详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3 型号：BUZ31L 仓库库存编号：BUZ31LIN-ND 别名：BUZ31L-ND BUZ31LIN BUZ31LX BUZ31LXK SP000011342 | 无铅 | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3 详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3 型号：BUZ31L H 仓库库存编号：BUZ31L H-ND 别名：BUZ31LH | 无铅 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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PDF查询| 数据列表 | BUZ31L |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 标准包装 | 500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 13.5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 7A，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 95W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 产品目录页面 | 1619 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BUZ31L-ND BUZ31LIN BUZ31LX BUZ31LXK SP000011342 |
