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BUZ30A
- 场效应管 MOSFET N TO-220 - BUZ30A
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BUZ30A
制造商型号:
BUZ30A
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N TO-220
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N TO-220
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 21A
漏源电压, Vds: 200V
在电阻RDS(上): 130mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 125W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
功耗, Pd: 125W
功耗, Pd: 125W
单脉冲雪崩能量 Eas: 450mJ
器件标记: BUZ30A
封装/箱盒: TO-220AB
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
引脚节距: 2.54mm
总功率, Ptot: 125W
时间, trr 典型值: 180ns
晶体管数: 1
温度 @ 电流测量: 26°C
满功率温度: 25°C
漏极电流, Id 最大值: 21A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 200V
电压, Vgs 最高: 20V
电容值, Ciss 典型值: 1400pF
电流, Idm 脉冲: 84A
表面安装器件: 通孔
通态电阻 @ Vgs = 10V: 130mohm
针脚格式: 1G, (2+Tab)D, 3S
针脚配置: a
阈值电压, Vgs th 最低: 2.1V
阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地: GB United Kingdom
手机网站相关详细信息:
BUZ30A
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
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旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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BUZ30A
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型号: BUZ30A 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N TO-220
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