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BUK98150-55A
- 场效应管 MOSFET N沟道 55V 5.5A SOT223 - BUK9815055A
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BUK98150-55A
制造商型号:
BUK98150-55A
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 55V 5.5A SOT223
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 55V 5.5A SOT223
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 5.5A
漏源电压, Vds: 55V
在电阻RDS(上): 137mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
功耗, Pd: 8W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: SOT-223
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: SOT-223
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
晶体管类型: 增强
漏极电流, Id 最大值: 5.5A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 55V
电压, Vgs 最高: 15V
表面安装器件: SMD
手机网站相关详细信息:
BUK98150-55A
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
BUK98150-55A
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: BUK98150-55A 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 55V 5.5A SOT223
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