BUK652R7-30C,127,BUK652R7-30C,127|NXP Semiconductors代理分销-BUK652R730C127原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | BUK652R7-30C |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 100A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 3.3 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 114nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 6960pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 204W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | BUK652R730C127 |
