数据列表 | BTS115A |
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产品相片 | TO-220-3 |
标准包装 | 500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TEMPFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 50V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 15.5A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 120 毫欧 @ 7.8A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 735pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 50W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | P-TO220AB |
其它名称 | BTS115AIN SP000011193 |