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BSZ22DN20NS3 G|Infineon Technologies
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BSZ22DN20NS3 G
制造商型号: BSZ22DN20NS3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
数据列表 BSZ22DN20NS3G
产品相片 8-TSDSON
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)225 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 13µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)5.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)430pF @ 100V
功率 - 最大值34W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
其它名称BSZ22DN20NS3G
BSZ22DN20NS3GTR
SP000781794

手机网站相关详细信息:BSZ22DN20NS3 G
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