BSZ120P03NS3E G,BSZ120P03NS3E G|Infineon Technologies代理分销-BSZ120P03NS3EG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | BSZ120P03NS3E G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-TSDSON |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 11A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 12 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.9V @ 73µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3360pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8（3.3x3.3） |
| 其它名称 | SP000709730 |
