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MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8

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MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3

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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSZ100N03LSGATMA1)

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BSZ100N03LSGATMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON EP T/R

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Single N-Channel 30 V 10 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

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Single N-Channel 30 V 10 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

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Infineon - BSZ100N03LSG - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
制造商零件编号：
BSZ100N03LSG
品牌：
Infineon
库存编号：
827-5142
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BSZ100N03LS G
制造商型号： BSZ100N03LS G
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 40A 30V PG-TSDSON-8
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 40A 30V PG-TSDSON-8
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 40A
  • 漏源电压, Vds: 30V
  • 在电阻RDS（上）: 8.3mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 功耗, Pd: 30W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: PG-TSDSON
  • 针脚数: 8
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 40A
  • 电压, Vgs 最高: 20V

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