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BSZ076N06NS3 G
- 场效应管 MOSFET N沟道 60V 20A 8TSDSON - BSZ076N06NS3G
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BSZ076N06NS3 G
制造商型号:
BSZ076N06NS3 G
制造商:
INFINEON
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 60V 20A 8TSDSON
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 60V 20A 8TSDSON
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 20A
漏源电压, Vds: 60V
在电阻RDS(上): 0.006ohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
功耗, Pd: 69W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 150°C
封装类型: PG-TSDSON
针脚数: 8
MSL: MSL 3 - 168小时
工作温度范围: -55°C 至 +150°C
手机网站相关详细信息:
BSZ076N06NS3 G
旗下站点
www.szcwdz.cn
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型号: BSZ076N06NS3 G 品牌: INFINEON 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 60V 20A 8TSDSON
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