| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BSS139%20H632 | Infineon | MOSFET，N沟道，250V，0.1A，SOT23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BSS139 H632 Infineon | MOSFET，N沟道，250V，0.1A，SOT23 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | BSS139 H6327 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23  | 查价格库存 查看详细 |
| BSS139H6327 Infineon technologies | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | BSS139H6327XT Infineon Technologies | MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| BSS139 H6327 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 | 查价格库存 查看详细 |
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| BSS139 H6327 Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23 | 查价格库存 查看详细 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： BSS139 H6327 品牌： Infineon 库存编号： 354-5770 | 搜索 |
| 典型关断延迟时间 | 29 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.3 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 60 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.36 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 250 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω14 | |
| 最大连续漏极电流 | 0.1 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 1mm |
