数据列表 | BSP320S |
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产品相片 | SOT223-3L |
产品变化通告 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 60V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 120 毫欧 @ 2.9A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 20µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 340pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP320SE6327T SP000011115 |