型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSP297E6327 [更多] | Siemens | 0.66 A, 200 V, 1.8 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BSP297 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 660mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4 型号:BSP297 E6327 仓库库存编号:BSP297 E6327-ND 别名:BSP297E6327T SP000011108 | 含铅 | 搜索 |
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数据列表 | BSP297 |
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产品相片 | SOT223-3L |
产品变化通告 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | SIPMOS® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 660mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.8 欧姆 @ 660mA,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.8V @ 400µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 16.1nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 357pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.8W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
其它名称 | BSP297E6327T SP000011108 |