BSP129E6327T,BSP129E6327T|Infineon Technologies代理分销-BSP129E6327T原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | BSP129 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT223-3L |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | SIPMOS® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 240V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 350mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6 欧姆 @ 350mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 108µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 5.7nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 108pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | BSP129XTINTR |
