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BSM75GAL120DN2
制造商型号： BSM75GAL120DN2
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 1200V 75A CHOPPER
技术参考：

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产品信息

制造商:

Infineon

产品种类:

IGBT 模块

RoHS:

符合

产品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

2.5 V

在25 C的连续集电极电流:

105 A

栅极—射极漏泄电流:

400 nA

功率耗散:

625 W

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

Half Bridge GAL 1

栅极/发射极最大电压:

20 V

安装风格:

Screw

工厂包装数量:

500

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