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BSM100GB120DN2
制造商型号： BSM100GB120DN2
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 1200V 100A DUAL
技术参考：

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产品信息

制造商:

Infineon

产品种类:

IGBT 模块

RoHS:

符合

产品:

IGBT Silicon Modules

配置:

Half Bridge Module

集电极—发射极最大电压 VCEO:

1200 V

集电极—射极饱和电压:

2.5 V

在25 C的连续集电极电流:

150 A

栅极—射极漏泄电流:

200 nA

功率耗散:

800 W

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

Half Bridge2

栅极/发射极最大电压:

20 V

安装风格:

Screw

工厂包装数量:

500

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