数据列表 | BSL306N |
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产品相片 | SC-74, SOT-457 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 2.3A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 57 毫欧 @ 2.3A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 11µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 1.6nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 275pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | PG-TSOP6-6 |
其它名称 | BSL306N L6327-ND BSL306N L6327INTR SP000442404 |