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BSH201215|NXP
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BSH201215
制造商型号： BSH201215
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET P沟道 60V 300mA SOT-23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET P沟道 60V 300mA SOT-23
  • 晶体管极性: P沟道
  • 电流, Id 连续: -160mA
  • 漏源电压, Vds: -60V
  • 在电阻RDS（上）: 2.5ohm
  • 电压 @ Rds测量: -10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: -1.9V
  • 功耗, Pd: 417mW
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: SOT-23
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 封装/箱盒: SOT-23
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 增强
  • 漏极电流, Id 最大值: -300mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: -10V
  • 电压, Vds 典型值: -60V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: SMD
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 1.9V

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