型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSH111,215 [更多] | Nexperia | MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
BSH111,215 [更多] | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 0.335A 3-Pin TO-236AB T/R
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
BSH111,21 | NXP | MOSFET,N沟道,55V,0.335A,TO236AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | BSH111 215 NXP Semiconductors | MOSFET N-CH TRNCH 55V 335MA 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | BSH111,215 NXP | BSH 系列 55 V 4 Ω 0.83 W N沟道 增强型 晶体管 - SOT-23![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 55V 335MA SOT-23 详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 335mA(Ta) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23) 型号:BSH111,215 仓库库存编号:568-1657-1-ND 别名:568-1657-1 | 无铅 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: BSH111,215 品牌: NXP 库存编号: 509-314 | 查看其他仓库 |
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典型栅极电荷@Vgs | 1 nC V @ 8 | |
典型输入电容值@Vds | 17 pF V @ 10 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 1.4mm | |
封装类型 | TO-236AB | |
尺寸 | 3 x 1.4 x 1mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 830 mW | |
最大栅源电压 | ±10 V | |
最大漏源电压 | 55 V | |
最大漏源电阻值 | 4 Ω | |
最大连续漏极电流 | 0.335 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 3mm | |
高度 | 1mm |