数据列表 | BSD223P |
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产品相片 | SOT-363 PKG |
产品变化通告 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 390mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1.5µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.62nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 56pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 250mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
其它名称 | BSD223PINTR BSD223PXT BSD223PXTINTR BSD223PXTINTR-ND |