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| BSC093N04LS G INFINEON | 场效应管 MOSFET N沟道 49A 40V PG-TDSON-8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 16 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.6 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.6 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1400 pF V @ 20 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.35 x 1.1mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 13.7 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 49 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、三源 | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 高度 | 1.1mm |
