BSC084P03NS3E G,BSC084P03NS3E G|Infineon Technologies代理分销-BSC084P03NS3EG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | BSC084P03NS3E G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 14.9A （Ta）， 78.6A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 8.4 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 110µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 57.7nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4240pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 |
| 其它名称 | BSC084P03NS3E G-ND BSC084P03NS3EGATMA1 SP000473012 |
