BSC020N025S G,BSC020N025S G|Infineon Technologies代理分销-BSC020N025SG原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | BSC020N025S G |
|---|---|
| 产品相片 | 8-PowerTDFN |
| 标准包装 | 5,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Ta）， 100A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 110µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 66nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8290pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 104W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC020N025SGINTR BSC020N025SGXT SP000095463 |
