数据列表 | BSB019N03LX G |
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产品相片 | BSF030NE2LQ |
产品变化通告 | Product Discontinuation 12/May/2009 |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 32A (Ta), 174A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 1.9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 92nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 8400pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 89W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 3-WDSON |
供应商器件封装 | MG-WDSON-2,CanPAK M? |
其它名称 | SP000597826 |