BLS6G2933P-200,117,BLS6G2933P-200,117|NXP Semiconductors代理分销-BLS6G2933P200117原装现货,PDF下载

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BLS6G2933P-200,117
制造商型号： BLS6G2933P-200,117
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS S-BAND RADAR PALLET AMPLIFIER
技术参考：

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产品信息

制造商:

NXP

RoHS:

符合

配置:

Single

晶体管极性:

N-Channel

频率:

2.9 GHz to 3.3 GHz

增益:

11 dB

输出功率:

220 W

汲极/源极击穿电压:

60 V

漏极连续电流:

66 A

闸/源击穿电压:

11 V

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

SOM038 (LDMOS)

封装:

Tray

安装风格:

SMD/SMT

工厂包装数量:

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