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BLF6G38-10G /T3
- 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS - BLF6G3810GT3
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BLF6G38-10G /T3
制造商型号:
BLF6G38-10G /T3
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
NXP
产品种类:
射频MOSFET电源晶体管
RoHS:
符合
配置:
Single
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
65 V
漏极连续电流:
3.1 A
闸/源击穿电压:
13 V
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
CDFM
封装:
Reel - 13 in
最小工作温度:
- 65 C
安装风格:
SMD/SMT
产品类型:
MOSFET Power
电阻汲极/源极 RDS(导通):
1.256 Ohms
工厂包装数量:
100
零件号别名:
BLF6G38-10G,118
手机网站相关详细信息:
BLF6G38-10G /T3
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
BLF6G38-10G /T3
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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*所需产品:
型号: BLF6G38-10G /T3 品牌: NXP Semiconductors 备注: 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
*联系人:
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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