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BLF6G10LS-200 /T3
制造商型号： BLF6G10LS-200 /T3
制造商： NXP Semiconductors
描述： 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
技术参考：

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库存状态： 实时库存查询 所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息

制造商:

NXP

产品种类:

射频MOSFET电源晶体管

RoHS:

符合

配置:

Single

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

65 V

漏极连续电流:

49 A

闸/源击穿电压:

13 V

最大工作温度:

+ 150 C

封装 / 箱体:

SOT502B

封装:

Reel

最小工作温度:

- 65 C

安装风格:

SMD/SMT

产品类型:

MOSFET Power

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

60 mOhms

工厂包装数量:

100

零件号别名:

BLF6G10LS-200,118

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