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| BFP 640F E6327 [更多] | Infineon Technologies AG | RF Bipolar Transistors TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BFP640FE6327 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | BFP 640F E6327 Infineon Technologies | 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4 详细描述：RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP 型号：BFP640FE6327 仓库库存编号：BFP640FE6327INCT-ND 别名：BFP640FE6327INCT BFP640FE6327XTINCT BFP640FE6327XTINCT-ND | 无铅 | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | BFP640F |
|---|---|
| 产品相片 | TSFP-4 |
| PCN Obsolescence | Multiple Devices 17/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 4.5V |
| 频率 - 跃迁 | 40GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| 增益 | 23dB |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 110 @ 30mA，3V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 产品目录页面 | 561 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | BFP640FE6327INTR BFP640FE6327XT BFP640FE6327XTINTR BFP640FE6327XTINTR-ND SP000015118 |
