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BFP196WNH6327XTSA1 [更多]	Infineon Technologies AG	RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTORS RoHS: Compliant	搜索
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BFP196E6327HTSA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R RoHS: Compliant \| pbFree: Yes	搜索
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BFP196WH6327XTSA1 [更多]	Infineon Technologies AG	Trans RF BJT NPN 12V 0.15A 700mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-343 T/R RoHS: Compliant	搜索
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BFP196WNH6327XTSA1 [更多]	Infineon Technologies AG	RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 7.5GHZ, SOT-343	搜索
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BFP196WH6327
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Infineon Technologies AG

Transistor: NPN, bipolar, RF, 20V, 150mA, 700mW, SOT343

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Infineon BFP196W , NPN 晶体管, 150 mA, Vce=12 V, HFE:70, 7500 MHz, 4引脚 SOT-343封装

制造商零件编号：
BFP196W
品牌：
Infineon
库存编号：
167-958

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BFP196
制造商型号： BFP196
制造商： Infineon
描述： Transistor, NPN, RF 7.5GHz, BFP196W
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产品信息

	安装类型	表面贴装
	宽度	1.25mm
	封装类型	SOT-343
	尺寸	0.9 x 2 x 1.25mm
	引脚数目	4
	晶体管类型	NPN
	最低工作温度	-55 °C
	最大功率耗散	700 mW
	最大发射极-基极电压	2 V
	最大直流集电极电流	0.15 A
	最大集电极-发射极电压	12 V
	最大集电极-基极电压	20 V
	最小直流电流增益	70 V
	最高工作温度	+150 °C
	最高工作频率	7500 MHz
	每片芯片元件数目	1
	类别	双极射频
	配置	单双发射极
	长度	2mm
	高度	0.9mm

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