| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BF1202WR,115 [更多] | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BF1202WR,115 [更多] | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| BF1202WR,115 [更多] | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin(3+Tab) CMPAK T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BF1202WR%2C11 | NXP | 射频 MOSFET，N沟道，10V，0.03A，双门，CMPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R 详细描述：RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30.5dB CMPAK-4 型号：BF1202WR,115 仓库库存编号：568-6153-1-ND 别名：568-6153-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： BF1202WR,115 品牌： NXP 库存编号： 626-2181 | 搜索 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BF1202WR 115 NXP Semiconductors | 射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| BF1202WR,11 NXP | 射频 MOSFET，N沟道，10V，0.03A，双门，CMPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | BF1202WR,115 NXP | BF1202 系列 10 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT343R | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | BF1202WR,115 NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| BF1202WR,115 NXP | BF1202 系列 10 V 30 mA N沟道 双栅极 MOS-FET - SOT343R | 查价格库存 查看详细 |
| BF1202WR,115 NXP Semiconductors | MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R | 查价格库存 查看详细 |
| BF1202WR,11 NXP | 射频 MOSFET，N沟道，10V，0.03A，双门，CMPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型功率增益 | 34.5 dB | |
| 典型输入电容值@Vds | 1 pF @ 5 V（网关 2），1.7 pF @ 5 V（网关 1） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 封装类型 | CMPAK | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 0.2 W | |
| 最大栅源电压 | 6 V | |
| 最大漏源电压 | 10 V | |
| 最大连续漏极电流 | 0.03 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双门、单 | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 高度 | 1mm |
