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BF 888 H6327
- 射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR - BF888H6327
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BF 888 H6327
制造商型号:
BF 888 H6327
制造商:
Infineon Technologies
描述:
射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
制造商:
Infineon
产品种类:
射频双极电源晶体管
RoHS:
符合
配置:
Single
直流集电极/Base Gain hfe Min:
250
集电极—发射极最大电压 VCEO:
4 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
13 V
集电极连续电流:
30 mA
功率耗散:
160 mW
封装 / 箱体:
SOT-343
封装:
Reel
最大工作温度:
+ 150 C
最小工作温度:
- 55 C
安装风格:
SMD/SMT
系列:
BF888
晶体管极性:
NPN
零件号别名:
BF888H6327XTSA1
手机网站相关详细信息:
BF 888 H6327
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
BF 888 H6327
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: BF 888 H6327 品牌: Infineon Technologies 备注: 射频双极电源晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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Q Q:
800152669
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