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BCR 119 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 型号:BCR 119 E6433 仓库库存编号:BCR 119 E6433-ND 别名:BCR119E6433XT SP000010754 | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | BCR119 |
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产品相片 | SOT-23-3 |
产品变化通告 | Product Discontinuation 01/Mar/2011 |
标准包装 | 10,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 5mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
频率 - 跃迁 | 150MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
其它名称 | BCR119E6433XT SP000010754 |