| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| BCR 119 E6433 | Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount PG-SOT23-3 型号：BCR 119 E6433 仓库库存编号：BCR 119 E6433-ND 别名：BCR119E6433XT SP000010754 | 无铅 | 搜索 |
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 | BCR 119 E6433 Infineon Technologies | TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-23  | 查价格库存 查看详细 |
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 | BCR119E6433XT Infineon Technologies | 开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN silicon Digital TRANSISTOR 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 数据列表 | BCR119 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 01/Mar/2011 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BCR119E6433XT SP000010754 |
