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| BCR119E6327HTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| BCR119E6327HTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BCR119E6327HTSA1) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BCR119E6327HTSA1 [更多] | Infineon Technologies AG | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BCR119E6327 [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: NPN, bipolar, BRT, 50V, 100mA, 200mW, SOT23, 4.7kΩ
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| BCR119E6327 [更多] | Infineon Technologies AG |
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PDF查询| 数据列表 | BCR119 |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 5mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 频率 - 跃迁 | 150MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BCR119E6327BTSA1 BCR119E6327HTSA1 BCR119E6327XT SP000010752 |
