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| AUIRFR4105Z [更多] | International Rectifier |
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| AUIRFR4105Z [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 55V, 30A, 48W, DPAK, HEXFET?
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| AUIRFR4105Z | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
AUIRFR4105Z | 1864542 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 0.019 ohm, 10 V, 2 V  (EN) | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 48W（Tc） D-Pak 型号：AUIRFR4105ZTRL 仓库库存编号：AUIRFR4105ZTRL-ND 别名：SP001517348 <br> | | 搜索 |
| Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 20A（Tc） 48W（Tc） D-Pak 型号：AUIRFR4105Z 仓库库存编号：AUIRFR4105Z-ND 别名：SP001520528 <br> | | 搜索 |
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PDF查询| 数据列表 | AUIRF(R,U)4105Z |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| PCN Assembly/Origin | AUIRFxx Series Wafer Process 29/Jul/2013 |
| 标准包装 | 75 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 20A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 24.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 48W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
