ATF-521P8-TR1,ATF-521P8-TR1|Avago Technologies代理分销-ATF521P8TR1原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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ATF-521P8-TR1
库存编号:ATF-521P8-TR1-ND
Broadcom Limited RF MOSFET PHEMT FET 4.5V 8LPCC0
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  英国8号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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ATF-521P8-TR1 Broadcom Limited C BAND, SI, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229, TandR4800
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437+
¥152.39
¥83.82
¥76.2
1-3周购买 购买
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ATF-521P8-TR1|Avago TechnologiesATF-521P8-TR1
Avago Technologies
射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
Rohs

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ATF-521P8-TR1|Avago TechnologiesATF-521P8-TR1
Avago Technologies
射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
Rohs

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无图ATF-521P8-TR1
Avago Technologies US Inc.
IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
ATF-521P8-TR1|Avago Technologies US Inc.ATF-521P8-TR1
Avago Technologies US Inc.
IC PHEMT 2GHZ 4.5V 200MA 8-LPCC
Rohs

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Broadcom Limited - ATF-521P8-TR1 - FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC

详细描述:RF Mosfet pHEMT FET 4.5V 200mA 2GHz 17dB 26.5dBm 8-LPCC (2x2)

型号:ATF-521P8-TR1
仓库库存编号:ATF-521P8-TR1-ND

无铅
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ATF-521P8-TR1|Avago Technologies
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ATF-521P8-TR1
制造商型号: ATF-521P8-TR1
制造商: Avago Technologies
描述: 射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Avago Technologies
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS: 符合
技术类型:EpHEMT
频率:2 GHz
增益:17 dB
噪声系数:1.5 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :1300 mmho
漏源电压 VDS:7 V
闸/源击穿电压:- 5 V to 1 V
漏极连续电流:500 mA
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:1.5 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:LPCC-8
配置:Single Dual Source
P1dB:26.5 dBm
封装:Reel
工厂包装数量:3000

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