ATF-501P8-TR2,ATF-501P8-TR2|Avago Technologies代理分销-ATF501P8TR2原装现货,PDF下载
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ATF-501P8-TR2
库存编号:ATF-501P8-TR2-ND		 Broadcom Limited RF MOSFET E-PHEMT 4.5V 8LPCC0
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ATF-501P8-TR2|Avago TechnologiesATF-501P8-TR2
Avago Technologies		射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
Rohs

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ATF-501P8-TR2|Avago Technologies US Inc.ATF-501P8-TR2
Avago Technologies US Inc.		IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA 8-LPCC
Rohs

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ATF-501P8-TR2|Avago TechnologiesATF-501P8-TR2
Avago Technologies		射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
Rohs

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无图ATF-501P8-TR2
Avago Technologies US Inc.		IC PHEMT 2GHZ 4.5V 280MA 8-LPCC
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Broadcom Limited - ATF-501P8-TR2 - FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC		Broadcom Limited
FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
详细描述：RF Mosfet E-pHEMT 4.5V 280mA 2GHz 15dB 29dBm 8-LPCC (2x2)

型号：ATF-501P8-TR2
仓库库存编号：ATF-501P8-TR2-ND

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ATF-501P8-TR2|Avago Technologies
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
ATF-501P8-TR2
制造商型号： ATF-501P8-TR2
制造商： Avago Technologies
描述： 射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
制造商:Avago Technologies
产品种类:射频GaAs晶体管
RoHS: 符合
技术类型:EpHEMT
频率:2 GHz
增益:15 dB
噪声系数:1 dB
正向跨导 gFS（最大值/最小值） :1872 mmho
漏源电压 VDS:7 V
闸/源击穿电压:- 5 V to 0.8 V
漏极连续电流:1 A
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:3.5 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:LPCC-8
配置:Single Dual Source
最大漏极/栅极电压:- 5 V to + 1 V
最小工作温度:- 65 C
P1dB:29 dBm
封装:Reel
工厂包装数量:10000

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