APTM120DA56T1G,APTM120DA56T1G|Microsemi Power Products Group代理分销-APTM120DA56T1G原装现货,PDF下载
PDF查询| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | - |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 672 毫欧 @ 14A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 300nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 7736pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 390W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SP1 |
| 供应商设备封装 ： | SP1 |
| 包装 ： | 散装 |
