APTGT200TL60G,APTGT200TL60G|Microsemi Power Products Group代理分销-APTGT200TL60G原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | APTGT200TL60G Power Products Catalog |
|---|---|
| 产品相片 | aptgt200tl60g |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT |
| 系列 | - |
| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
| 配置 | 三级反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 15V，200A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 300A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 350µA |
| 不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 12.2nF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 652W |
| 输入 | 标准 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 产品目录页面 | 1633 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | APTGT200TL60GMI APTGT200TL60GMI-ND |
