| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| APT80GA60LD40 [更多] | Microsemi Corporation | IGBT 600V 143A 625W TO264 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| APT80GA60LD40 [更多] | Microsemi Corporation | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi RoHS: Compliant | 搜索 |
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| APT80GA60LD40 [更多] | Microsemi Corporation | Trans IGBT Chip N-CH 600V 143A 3-Pin(3+Tab) TO-264 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| APT80GA60LD40 [更多] | Microsemi Corporation | IGBT,600V, 143A, 625W, TO264 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| APT80GA60LD40 | Microsemi Power Products Group | IGBT 600V 143A 625W TO264 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Microsemi Corporation IGBT 600V 143A 625W TO264 详细描述：IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264 型号：APT80GA60LD40 仓库库存编号：APT80GA60LD40-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | APT80GA60LD40 |
|---|---|
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | POWER MOS 8™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，47A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 143A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| Switching Energy | 840µJ (开), 751µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 230nC |
| Td (on/off) A 25°C | 23ns/158ns |
| Test Condition | 400V, 47A, 4.7 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 22ns |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
