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APT45GP120BG
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Microsemi Corporation

IGBT 1200V 100A 625W TO247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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APT45GP120BG
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Microsemi Corporation

IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

RoHS: Compliant

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Microsemi Corporation

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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APT45GP120BG
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Microsemi Corporation

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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Microsemi Corporation - APT45GP120BG - IGBT 1200V 100A 625W TO247
Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 625W TO247

详细描述:IGBT PT 1200V 100A 625W Through Hole TO-247 [B]

型号:APT45GP120BG
仓库库存编号:APT45GP120BG-ND
别名:APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND

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APT45GP120BG|Microsemi Power Products GroupAPT45GP120BG
Microsemi Power Products Group
IGBT 1200V 100A 625W TO247
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APT45GP120BG|Microsemi Power Products Group
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
APT45GP120BG
制造商型号: APT45GP120BG
制造商: Microsemi Power Products Group
描述: IGBT 1200V 100A 625W TO247
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 APT45GP120B
Power Products Catalog
产品相片 TO-247-3
产品目录绘图 TO-247 Front
标准包装  30
类别分立半导体产品
家庭IGBT - 单路
系列POWER MOS 7®
包装  管件  
IGBT 类型PT
电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)3.9V @ 15V,45A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100A
Current - Collector Pulsed (Icm)170A
功率 - 最大值625W
Switching Energy900µJ (开), 904µJ (关)
输入类型标准
Gate Charge185nC
Td (on/off) A 25°C18ns/102ns
Test Condition600V, 45A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)-
封装/外壳TO-247-3
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247 [B]
产品目录页面1633 (CN2011-ZH PDF)
其它名称APT45GP120BGMI
APT45GP120BGMI-ND

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