| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| APT32F120J | Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | APT32F120J Microsemi Power Products Group | MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 33A SOT-227 详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 33A（Tc） 960W（Tc） ISOTOP? 型号：APT32F120J 仓库库存编号：APT32F120J-ND | | 搜索 |
PDF查询| 标准包装 ： | 10 |
| 系列 ： | POWER MOS 8™ |
| FET 型 ： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 1200V (1.2kV) |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 350 毫欧 @ 25A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 5V @ 2.5mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 560nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 18200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 960W |
| 安装类型 ： | 底座安装 |
| 封装/外壳 ： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装 ： | SOT-227 |
| 包装 ： | 管件 |
