标准包装 : | 10 |
系列 : | POWER MOS V® |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) : | 1000V (1kV) |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 34A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 250 毫欧 @ 500mA, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 4V @ 5mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : | 990nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 18000pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 700W |
安装类型 : | 底座安装 |
封装/外壳 : | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商设备封装 : | ISOTOP® |
包装 : | 管件 |