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PHOTOTRANSISTOR 3X1MM IR RA SMD

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PHOTOTRANSISTOR 3X1MM IR RA SMD

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PHOTOTRANSISTOR 3X1MM IR RA SMD

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Phototransistors 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm

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Phototransistor

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APA3010P3BT-GX
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APA3010P3BT-GX

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3 x 1 mm 30 V Right Angle Side View Surface Mount Phototransistor

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APA3010P3BT-GX.
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RIGHT ANGLE SMD LED

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Phototransistors 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm

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Phototransistor Chip Silicon 940nm 2-Pin SMD T/R

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APA3010P3BT-GX Kingbright 光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm 查看库存、价格及货期
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Kingbright - APA3010P3BT-GX - PHOTOTRANSISTOR 3X1MM IR RA SMD		Kingbright
PHOTOTRANSISTOR 3X1MM IR RA SMD
详细描述：Phototransistor Side View 2-SMD, No Lead

型号：APA3010P3BT-GX
仓库库存编号：754-1841-1-ND
别名：754-1841-1
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Kingbright		光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm
Rohs

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Kingbright		光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
APA3010P3BT-GX
制造商型号： APA3010P3BT-GX
制造商： Kingbright
描述： 光电晶体管 30/5V VBR 15us IR 3x1x2mm
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:Kingbright
产品种类:光电晶体管
RoHS: 符合
最大功率耗散:100 mW
最大暗电流:100 nA
封装 / 箱体:3 mm x 2 mm x 1 mm
集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V
集电极—射极击穿电压:30 V
集电极—射极饱和电压:0.8 V
下降时间:15 us
最大工作温度:+ 85 C
最小工作温度:- 40 C
封装:Reel
产品:Phototransistors
上升时间:15 us
工厂包装数量:2000
类型:Right Angle Phototransistor
波长:940 nm

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