数据列表 | AOW(F)25S65 AOW(F)25S65 |
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标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | aMOS™ |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 25A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 190 毫欧 @ 12.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26.4nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1278pF @ 100V |
功率 - 最大值 | 28W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商器件封装 | * |
其它名称 | AOWF25S65-ND |