数据列表 | ALD210800/A |
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特色产品 | ADL - Precision N-Channel EPAD MOSFET Array |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | Zero Threshold™ EPAD® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | 4 N 沟道,配对 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 70mA, 50µA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 25 欧姆 |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 10mV @ 10µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 15pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 16-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-PDIP |
其它名称 | 1014-1216 |