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ALD1121EPAL
制造商型号： ALD1121EPAL
制造商： Advanced Linear Devices
描述： MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
技术参考：

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产品信息

制造商:

Advanced Linear Devices

产品种类:

MOSFET

RoHS:

符合

晶体管极性:

N-Channel

汲极/源极击穿电压:

10 V

闸/源击穿电压:

+/- 6.6 V

漏极连续电流:

3 mA

电阻汲极/源极 RDS（导通）:

500 Ohms

配置:

Dual

最大工作温度:

+ 70 C

安装风格:

Through Hole

封装 / 箱体:

PDIP-8

最小工作温度:

0 C

功率耗散:

600 mW

工厂包装数量:

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