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ALD110914SAL
- MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch - ALD110914SAL
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ALD110914SAL
制造商型号:
ALD110914SAL
制造商:
Advanced Linear Devices
描述:
MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
制造商:
Advanced Linear Devices
产品种类:
MOSFET
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
10 V
闸/源击穿电压:
10.6 V
漏极连续电流:
12 mA
电阻汲极/源极 RDS(导通):
500 Ohms
配置:
Dual
最大工作温度:
+ 70 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
0.0014 S
最小工作温度:
0 C
功率耗散:
500 mW
工厂包装数量:
50
典型关闭延迟时间:
10 ns
手机网站相关详细信息:
ALD110914SAL
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
ALD110914SAL
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
ALD110914SAL
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*所需产品:
型号: ALD110914SAL 品牌: Advanced Linear Devices 备注: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
*联系人:
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sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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