数据列表 | ALD110808,908(A) |
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产品相片 | 8-DIP |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | EPAD® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | 2 N 沟道(双)配对 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 10.6V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 12mA, 3mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 500 欧姆 @ 4.8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 810mV @ 1µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2.5pF @ 5V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | 8-DIP(0.300",7.62mm) |
供应商器件封装 | 8-PDIP |
其它名称 | 1014-1038 |