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6MBI100VA-120-50
- 晶体管 IGBT阵列 6X V系列 100A 1200V M636 - 6MBI100VA12050
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6MBI100VA-120-50
制造商型号:
6MBI100VA-120-50
制造商:
FUJI ELECTRIC
描述:
晶体管 IGBT阵列 6X V系列 100A 1200V M636
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
晶体管 IGBT阵列 6X V系列 100A 1200V M636
晶体管极性: N沟道
集电极直流电流: 100A
饱和电压, Vce sat 最大: 1.2kV
功耗, Pd: 520W
电压, Vceo: 1.2kV
封装类型: Module
针脚数: 28
功耗, Pd: 520W
封装/箱盒: M636
工作温度范围: -
模块配置: 六
手机网站相关详细信息:
6MBI100VA-120-50
旗下站点
www.szcwdz.cn
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6MBI100VA-120-50
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*所需产品:
型号: 6MBI100VA-120-50 品牌: FUJI ELECTRIC 备注: 晶体管 IGBT阵列 6X V系列 100A 1200V M636
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Q Q:
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