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2SK3816-DL-1E
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ON Semiconductor

MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES

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2SK3816-DL-E
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ON Semiconductor - 2SK3816-DL-1E - MOSFET N-CH 60V 40A
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A

详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) TO-263-2

型号:2SK3816-DL-1E
仓库库存编号:2SK3816-DL-1E-ND

无铅
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ON Semiconductor - 2SK3816-DL-E - MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD

详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 40A(Ta) 1.65W(Ta),50W(Tc) SMP-FD

型号:2SK3816-DL-E
仓库库存编号:2SK3816-DL-E-ND

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无图2SK3816-DL
Sanyo
MOSFET,N-ch,60V/40A,0.04ohm@4V,SMP-FD
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无图2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor
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2SK3816-DL-E|ON Semiconductor2SK3816-DL-E
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 40A SMP-FD
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2SK3816-DL
制造商型号: 2SK3816-DL
制造商: Sanyo
描述: MOSFET,N-ch,60V/40A,0.04ohm@4V,SMP-FD
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
订购热线: 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
典型关断延迟时间160 ns
典型接通延迟时间16.5 ns
典型栅极电荷@Vgs40 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1780 pF V @ 20
安装类型表面贴装
宽度8.8mm
封装类型SMP FD
尺寸10.2 x 8.8 x 4.5mm
引脚数目3
最大功率耗散50 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压60 V
最大漏源电阻值40 mΩ
最大连续漏极电流40 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别通用
通道模式增强
通道类型N
配置
长度10.2mm
高度4.5mm

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